就在美日荷層層封鎖的背景下，中國光刻機產業正悄悄撕開一道口子。最近，日本經濟新聞發布報道指出，中國很可能成為繼荷蘭、日本之后，全球第三個掌握獨立制造光刻機全產業鏈能力的國家。
這一判斷并非空穴來風，而是基于國內企業近期交付的多臺國產光刻機和持續攀升的國產化率數據。
如上海的芯上微裝公司推出的那一代AST6200型的光刻機就將其制程的精度都定位于了350納米的水平，既能滿足了新能源汽車、5G基站等領域對碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料的制造的高精的需求，也將大大降低了這些新材料的成本，對促進了新材料的廣泛的應用起到了推動的作用。
伴隨對該設備的不斷攻關，該設備的正面套刻的精度已經達到80納米以上，其整機的國產化率也已經超過了83%，從光源的選用到軟件的開發均已實現了自主的可控性等一系列的重大突破。換個角度來說，中國企業在高端光刻機領域正另辟蹊徑，采取“差異化策略”——不一味地追求最尖端的制程技術，而是優先解決實際應用中最迫切的難題。
隨著28納米的主流成熟，上海微的首個浸沒式DUV設備也已順利進入了量產的測試階段。這類芯片雖然不具備手機處理器所需的頂尖算力，卻是汽車、家電、物聯網設備的核心部件，占據全球芯片需求量的七成以上，但穩住了這一塊的市場，也就為國產的芯片打造了一條相對不受外部的干擾的“供給線”。
特別需要指出的是，國產光刻機取得的突破性進展，可不單單只是在硬件層面有所體現，通過對數字孿生的廣泛的引入及大數據的深入應用，我們將實時的通過各類的傳感器對設備的運行狀態的監測，再通過對人工智能的深入的優化工藝的參數的調整,使得部分的生產線的良率從原有的75%一路的提升至了85%，就連底層驅動和工藝管理軟件也全部自研，進一步降低了因外部斷供導致的停產風險。
當然也需客觀看到，在面向7納米以下芯片的極紫外光刻領域，中國與行業龍頭阿斯麥仍有八到十年的技術差距。但哈工大等機構已在EUV光源技術上取得階段性突破，加上國家大基金三期對光刻膠等關鍵材料的重點投入，國產高端光刻機的技術積累正在提速。
回頭看，西方封鎖反而催生了中國半導體設備的自主浪潮。從封裝光刻機占全球40%份額，到化合物半導體設備率先實現國產化，每一步都在將“卡脖子”清單轉化為“攻關清單”。
隨外媒的逐一揭露中，中國的光刻機產業也從原來的“單點超越”轉變為“成熟的制程站穩了市場，再向高端領域迂回前進”的戰略格局。這條路或許需要更多時間，卻更穩、也更可持續。
